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芯片質(zhì)量/
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芯片失效分析實(shí)驗(yàn)室/
擁有Xray、掃描電子顯微鏡(SEM)等高精設(shè)備,芯片失效分析實(shí)驗(yàn)室具備了元素級成分分析和Nm級缺陷定位的能力。這些先進(jìn)的設(shè)備使得實(shí)驗(yàn)室能夠?qū)π酒M(jìn)行深入的失效分析,從而確保半導(dǎo)體產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。
Xray設(shè)備能夠穿透芯片,檢測IC封裝中的各種缺陷,如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性,對于PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接,開路、短路或不正常連接的缺陷,封裝中的錫球完整性等也能進(jìn)行有效檢。而掃描電子顯微鏡(SEM)則提供了高分辨率的表面形貌分析,能夠觀察芯片表面的微觀結(jié)構(gòu)和缺陷,結(jié)合能譜分析(EDS),可以確定材料成分和元素分布。
在失效分析實(shí)驗(yàn)室中,這些設(shè)備的應(yīng)用不僅限于單一的檢測,還能結(jié)合其他分析手段,如超聲波掃描顯微鏡(C-SAM)、熱成像分析、靜電放電(ESD)測試等,為失效模式提供全面的分析例如,C-SAM能夠檢測材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物,以及內(nèi)部裂紋、分層缺陷、空洞、氣泡、空隙。這些技術(shù)的結(jié)合使用,使得實(shí)驗(yàn)室能夠從多個角度對芯片失效進(jìn)行綜合分析,從而更準(zhǔn)確地定位失效原因,為改進(jìn)工藝和提高產(chǎn)品質(zhì)量提供科學(xué)依據(jù)。通過這些高精尖的設(shè)備和技術(shù),芯片失效分析實(shí)驗(yàn)室能夠?yàn)榘雽?dǎo)體行業(yè)提供強(qiáng)有力的技術(shù)支持,確保產(chǎn)品從研發(fā)到生產(chǎn)的每一個環(huán)節(jié)都能滿足高標(biāo)準(zhǔn)的質(zhì)量要求。



